ddr3(ddr3和ddr4的区别)
资讯
2024-01-09
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1. ddr3,ddr3和ddr4的区别?
一,ddr3和ddr4的区别主要就是频率的不同。
二,一般ddr3内存条最高频率是2800mhz,但这个频率非常少见需要处理器超频后才能搭配,常用频率为1600。
三,ddr4最高频率可以到4800mhz,常用的是2666或者3200频率,因此性能比ddr3要高20%左右。
2. ddr3和ddr3l鉴别?
工作电压不同:DDR3电压为1.5V,DDR3L电压为1.35V。功耗有所区别:DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则是1.35V工作电压,DDR3L比DDR3节能2W左右。性能上有所区别:DDR3标压内存相比DDR3L低压内存,性能强了10-15%。
演示机型:华为MateBook X
系统版本:win10
1、工作电压不同:DDR3电压为1.5V,DDR3L电压为1.35V。
2、功耗有所区别:DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则是1.35V工作电压,DDR3L比DDR3节能2W左右。
3、性能上有所区别:DDR3标压内存相比DDR3L低压内存,性能强了10-15%。
4、兼容性不一样:DDR3与DDR3L在大多数情况下兼容,但在Haswell平台下却不完全兼容Intel Haswl处理器,Intel Haswl为了更好的降低功耗,其支持的内存类型只有DDR3L,并不能兼容DDR3。
5、价格区别:DDR3L低压内存相比DDR3标压内存要略便宜一些。
3. DDR4比DDR3强多少?
DDR4比DDR3强很多,主要体现在三个方面。首先,DDR4的频率更高,最高可达到3200MHz,比DDR3的最高频率2133MHz高出近50%。
其次,DDR4的带宽更大,由于每个时钟周期传输数据量更多,DDR4的带宽可以达到256-bit,是DDR3的两倍。最后,DDR4的能耗更低,由于采用了更先进的制程工艺和低电压设计,DDR4的能耗比DDR3低30%以上。这些优势不仅提高了内存的性能,还能降低功耗和温度,为系统带来更多的优势。
4. ddr3内存条时序多少?
DDR3内存条的时序为8、8、8、20。同时,时序也包括tRCD、AL、CL和RL等参数,具体为:
1. tRCD (RAS-to-CAS delay):表示在传输数据时,将BANK地址和行地址一起发出后,经过tRCD时间后将列地址和读写指令一起发出。
2. AL (additive latency):在tRCD的基础上,为了防止DDR中的指令冲突,在开始寻找仓库的行和区域之后过一小段时间后,打开时缺德地图开始寻找列。
3. CL (CAS latency):表示在列地址发出后出发数据传输,但数据从存储单元到内存芯片IO还需要一段时间。
4. RL (Read latency):读潜伏期,RL=AL+CL。
需要注意的是,这些参数因具体的内存条和制造商而有所不同。
5. ddr3内存条有几种规格?
以前常用的DDR3内存条,最常见的频率就是1333和1600的,这两个频率是市场上最常见的装机的时候使用的最多。到后期的时候,市场上1600的频率的最多。
此外我了解的D DR3,还有1866的频率。在网上查过DDR3还有更高的频率,据说频率最高的可以达到2800。
算下来DDR3的频率规格可能有七八种吧,但是那些更高频率的我真的没有使用过。
6. RAM和DDR3区别?
1、外观尺寸:卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
2、你会发现内存的金手指并非平直到底,而是中间略凸,两边微有弯曲。DDR4内存条提供曲线边的目的是方便插RAM入和缓解内存安装期间对PCB 的压力。
3、容量相较于DDR3,RAM理论上每根DIMM模块能达到512GiB的容量,而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GiB。
4、速度:DDR3的最高速率为2133MT/s ,RAM的数据传输率也从2133MT/s起跳,最高速率在2013年的标准中暂定为4266MT/s。
5、能耗,DDR3的工作电压是1.5V,而RAM是1.2V,并且能源节省高达40%。这对台式机的作用不大,但对提高移动设备的续航时间和降低发热有重要意义。
7. ddr3和ddr4的设计区别?
区别如下:
1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL,Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式。
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR2和DDR3的内存条一般不能同时使用在同一个电脑上,会出现不兼容的情况
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1. ddr3,ddr3和ddr4的区别?
一,ddr3和ddr4的区别主要就是频率的不同。
二,一般ddr3内存条最高频率是2800mhz,但这个频率非常少见需要处理器超频后才能搭配,常用频率为1600。
三,ddr4最高频率可以到4800mhz,常用的是2666或者3200频率,因此性能比ddr3要高20%左右。
2. ddr3和ddr3l鉴别?
工作电压不同:DDR3电压为1.5V,DDR3L电压为1.35V。功耗有所区别:DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则是1.35V工作电压,DDR3L比DDR3节能2W左右。性能上有所区别:DDR3标压内存相比DDR3L低压内存,性能强了10-15%。
演示机型:华为MateBook X
系统版本:win10
1、工作电压不同:DDR3电压为1.5V,DDR3L电压为1.35V。
2、功耗有所区别:DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则是1.35V工作电压,DDR3L比DDR3节能2W左右。
3、性能上有所区别:DDR3标压内存相比DDR3L低压内存,性能强了10-15%。
4、兼容性不一样:DDR3与DDR3L在大多数情况下兼容,但在Haswell平台下却不完全兼容Intel Haswl处理器,Intel Haswl为了更好的降低功耗,其支持的内存类型只有DDR3L,并不能兼容DDR3。
5、价格区别:DDR3L低压内存相比DDR3标压内存要略便宜一些。
3. DDR4比DDR3强多少?
DDR4比DDR3强很多,主要体现在三个方面。首先,DDR4的频率更高,最高可达到3200MHz,比DDR3的最高频率2133MHz高出近50%。
其次,DDR4的带宽更大,由于每个时钟周期传输数据量更多,DDR4的带宽可以达到256-bit,是DDR3的两倍。最后,DDR4的能耗更低,由于采用了更先进的制程工艺和低电压设计,DDR4的能耗比DDR3低30%以上。这些优势不仅提高了内存的性能,还能降低功耗和温度,为系统带来更多的优势。
4. ddr3内存条时序多少?
DDR3内存条的时序为8、8、8、20。同时,时序也包括tRCD、AL、CL和RL等参数,具体为:
1. tRCD (RAS-to-CAS delay):表示在传输数据时,将BANK地址和行地址一起发出后,经过tRCD时间后将列地址和读写指令一起发出。
2. AL (additive latency):在tRCD的基础上,为了防止DDR中的指令冲突,在开始寻找仓库的行和区域之后过一小段时间后,打开时缺德地图开始寻找列。
3. CL (CAS latency):表示在列地址发出后出发数据传输,但数据从存储单元到内存芯片IO还需要一段时间。
4. RL (Read latency):读潜伏期,RL=AL+CL。
需要注意的是,这些参数因具体的内存条和制造商而有所不同。
5. ddr3内存条有几种规格?
以前常用的DDR3内存条,最常见的频率就是1333和1600的,这两个频率是市场上最常见的装机的时候使用的最多。到后期的时候,市场上1600的频率的最多。
此外我了解的D DR3,还有1866的频率。在网上查过DDR3还有更高的频率,据说频率最高的可以达到2800。
算下来DDR3的频率规格可能有七八种吧,但是那些更高频率的我真的没有使用过。
6. RAM和DDR3区别?
1、外观尺寸:卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
2、你会发现内存的金手指并非平直到底,而是中间略凸,两边微有弯曲。DDR4内存条提供曲线边的目的是方便插RAM入和缓解内存安装期间对PCB 的压力。
3、容量相较于DDR3,RAM理论上每根DIMM模块能达到512GiB的容量,而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GiB。
4、速度:DDR3的最高速率为2133MT/s ,RAM的数据传输率也从2133MT/s起跳,最高速率在2013年的标准中暂定为4266MT/s。
5、能耗,DDR3的工作电压是1.5V,而RAM是1.2V,并且能源节省高达40%。这对台式机的作用不大,但对提高移动设备的续航时间和降低发热有重要意义。
7. ddr3和ddr4的设计区别?
区别如下:
1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL,Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式。
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR2和DDR3的内存条一般不能同时使用在同一个电脑上,会出现不兼容的情况
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